VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SQM120N10-3M8_GE3 封装:TO-263-2 PN:SQM120N10-3M8_GE3

商品编号：OK000000168524

型号：SQM120N10-3M8_GE3

封装/规格：TO-263-2

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SQM120N10-3M8_GE3

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 120A(TC) 栅源极阈值电压 3.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 3.8MΩ 流明 20A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 375W(TC) 类型 N沟道 N沟道 100V 120A 0.0038Ω流明10V