VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SI4464DY-T1-E3 封装:SOIC-8_150mil PN:SI4464DY-T1-E3

商品编号:OK000000168589

型号:SI4464DY-T1-E3

封装/规格:SOIC-8_150mil

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地:VISHAY(威世)

三极管类型:NPN

型号PN:SI4464DY-T1-E3

描述:漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 1.7A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 240MΩ 流明 2.2A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.5W 类型 N沟道 N沟道 200V 1.7A 0.24Ω流明10V

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  • 品牌:VISHAY(威世)
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  • 型号:SI4464DY-T1-E3
  • 封装/规格:SOIC-8_150mil
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1
  • 品牌/产地:VISHAY(威世)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:SI4464DY-T1-E3
  • 描述:漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 1.7A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 240MΩ 流明 2.2A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.5W 类型 N沟道 N沟道 200V 1.7A 0.24Ω流明10V
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