SINO-IC(光宇睿芯) 贴片MOS(场效应三极管)1 SE200100G 停产 封装:TO-263-2 PN:SE200100G

商品编号：OK000000168607

型号：SE200100G 停产

封装/规格：TO-263-2

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地：SINO-IC(光宇睿芯)

三极管类型：NPN

型号PN：SE200100G

描述：漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 100A 栅源极阈值电压 4.5V 流明 250A 漏源导通电阻 13.5MΩ 流明 50A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 300W 类型 N沟道