VISHAY(威世) MOS(场效应三极管)1 SI2328DS-T1-GE3 封装:SOT-23-3(TO-236) PN:SI2328DS-T1-GE3

商品编号:OK000000168705

型号:SI2328DS-T1-GE3

封装/规格:SOT-23-3(TO-236)

产品类型: MOS(场效应三极管)1

品牌/产地:VISHAY(威世)

三极管类型:NPN

型号PN:SI2328DS-T1-GE3

描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 1.15A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 250MΩ 流明 1.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 730MW 类型 N沟道

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  • 商品名称: VISHAY(威世) MOS(场效应三极管)1 SI2328DS-T1-GE3 封装:SOT-23-3(TO-236) PN:SI2328DS-T1-GE3
  • 商品编号:OK000000168705
  • 品牌:VISHAY(威世)
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  • 型号:SI2328DS-T1-GE3
  • 封装/规格:SOT-23-3(TO-236)
  • 封装类型:
  • 产品类型: MOS(场效应三极管)1
  • 品牌/产地:VISHAY(威世)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:SI2328DS-T1-GE3
  • 描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 1.15A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 250MΩ 流明 1.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 730MW 类型 N沟道
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