ST(意法半导体) 直插MOS(场效应三极管)1 STP4NK80Z 封装:TO-220 PN:STP4NK80Z

商品编号:OK000000168729

型号:STP4NK80Z

封装/规格:TO-220

封装类型:直插

产品类型:直插 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地:ST(意法半导体)

三极管类型:NPN

型号PN:STP4NK80Z

描述:漏源电压(VDSS) 800V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 3A(TC) 栅源极阈值电压 4.5V 流明 50UA 漏源导通电阻 3.5Ω 流明 1.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 80W(TC) 类型 N沟道 N沟道 800V 3A

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  • 商品名称: ST(意法半导体) 直插MOS(场效应三极管)1 STP4NK80Z 封装:TO-220 PN:STP4NK80Z
  • 商品编号:OK000000168729
  • 品牌:ST(意法半导体)
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  • 型号:STP4NK80Z
  • 封装/规格:TO-220
  • 封装类型:直插
  • 产品类型:直插 MOS(场效应三极管)1
  • 品牌/产地:ST(意法半导体)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:STP4NK80Z
  • 描述:漏源电压(VDSS) 800V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 3A(TC) 栅源极阈值电压 4.5V 流明 50UA 漏源导通电阻 3.5Ω 流明 1.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 80W(TC) 类型 N沟道 N沟道 800V 3A
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