VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SI1422DH-T1-GE3 封装:SC-70-6(SOT-363) PN:SI1422DH-T1-GE3

商品编号:OK000000168737

型号:SI1422DH-T1-GE3

封装/规格:SC-70-6(SOT-363)

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地:VISHAY(威世)

三极管类型:NPN

型号PN:SI1422DH-T1-GE3

描述:漏源电压(VDSS) 12V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A(TC) 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 26MΩ 流明 5.1A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 2.8W(TC) 类型 N沟道 N沟道 12V 4A 0.026Ω流明4.5V

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  • 商品编号:OK000000168737
  • 品牌:VISHAY(威世)
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  • 型号:SI1422DH-T1-GE3
  • 封装/规格:SC-70-6(SOT-363)
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1
  • 品牌/产地:VISHAY(威世)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:SI1422DH-T1-GE3
  • 描述:漏源电压(VDSS) 12V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A(TC) 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 26MΩ 流明 5.1A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 2.8W(TC) 类型 N沟道 N沟道 12V 4A 0.026Ω流明4.5V
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