VISHAY(威世) 直插MOS(场效应三极管)1 SI5517DU-T1-GE3 封装:PowerPAK ChipFET PN:SI5517DU-T1-GE3

商品编号：OK000000168808

型号：SI5517DU-T1-GE3

封装/规格：PowerPAK ChipFET

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：PNP

型号PN：SI5517DU-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 6A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 39MΩ 流明 4.4A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 8.3W 类型 N沟道和P沟道 N沟道 20V 6A 0.039Ω流明4.5VP沟道 -20V -6A 0.072Ω流明-4.5V