CYSTECH(全宇昕) 贴片MOS(场效应三极管)1 MTC3588N6 封装:SOT-26 PN:MTC3588N6

商品编号:OK000000168980

型号:MTC3588N6

封装/规格:SOT-26

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地:CYSTECH(全宇昕)

三极管类型:PNP

型号PN:MTC3588N6

描述:漏源电压(VDSS) 14V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 5.4A 3.6A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 25MΩ 流明 5A 4.5V;60MΩ 流明 3.6A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.14W 类型 N沟道和P沟道 14V -14V/ 5.4A -3.6A / N+P

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  • 商品名称: CYSTECH(全宇昕) 贴片MOS(场效应三极管)1 MTC3588N6 封装:SOT-26 PN:MTC3588N6
  • 商品编号:OK000000168980
  • 品牌:华润华晶
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  • 型号:MTC3588N6
  • 封装/规格:SOT-26
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1
  • 品牌/产地:CYSTECH(全宇昕)
  • 三极管类型:PNP
  • 型号PN:MTC3588N6
  • 描述:漏源电压(VDSS) 14V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 5.4A 3.6A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 25MΩ 流明 5A 4.5V;60MΩ 流明 3.6A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.14W 类型 N沟道和P沟道 14V -14V/ 5.4A -3.6A / N+P
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