VBsemi(台湾微碧) MOS(场效应三极管) VBI1101M 封装:SOT-89-3 PN:VBI1101M
请用微信扫描
商品编号:OK000000169090
型号:VBI1101M
封装/规格:SOT-89-3
产品类型: MOS(场效应三极管)
品牌/产地:VBsemi(台湾微碧)
三极管类型:NPN
型号PN:VBI1101M
描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4.2A 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 125MΩ 流明 1A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 2.5W 类型 N沟道 N沟道 100V 3.1A 126MΩ流明10V
扫一扫,手机访问微商城
好评度
你好!请登录|注册
好评度