GOFORD(谷峰) 贴片MOS(场效应三极管) G15N10C 封装:TO-252 PN:G15N10C

商品编号:OK000000169112

型号:G15N10C

封装/规格:TO-252

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:GOFORD(谷峰)

三极管类型:NPN

型号PN:G15N10C

描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 15A(TC) 栅源极阈值电压 2.6V 流明 250UA 漏源导通电阻 85MΩ 流明 4.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 28W(TC) 类型 N沟道 N管100V 15A 开启2.0V 70MΩ流明10V

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  • 商品名称: GOFORD(谷峰) 贴片MOS(场效应三极管) G15N10C 封装:TO-252 PN:G15N10C
  • 商品编号:OK000000169112
  • 品牌:GOFORD(谷峰)
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  • 型号:G15N10C
  • 封装/规格:TO-252
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:GOFORD(谷峰)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:G15N10C
  • 描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 15A(TC) 栅源极阈值电压 2.6V 流明 250UA 漏源导通电阻 85MΩ 流明 4.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 28W(TC) 类型 N沟道 N管100V 15A 开启2.0V 70MΩ流明10V
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