VBsemi(台湾微碧) 贴片MOS(场效应三极管) VBC6N2014 封装:TSSOP-8 PN:VBC6N2014

商品编号：OK000000169128

型号：VBC6N2014

封装/规格：TSSOP-8

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：NPN

型号PN：VBC6N2014

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 6.2A 栅源极阈值电压 1.6V 流明 250UA 漏源导通电阻 20MΩ 流明 6.5A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1W 类型 双N沟道(共漏) N+N沟道 20V 7.6A 13MΩ流明4.5V