SILAN(士兰微) 直插MOS(场效应三极管) SVF4N65F 封装:TO-220F(TO-220IS) PN:SVF4N65F

商品编号:OK000000169141

型号:SVF4N65F

封装/规格:TO-220F(TO-220IS)

封装类型:直插

产品类型:直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:SILAN(士兰微)

三极管类型:NPN

型号PN:SVF4N65F

描述:漏源电压(VDSS) 650V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 2.7Ω 流明 2A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 30W(TC) 类型 N沟道 N沟道 650V 4A 2.7Ω流明10V

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  • 商品名称: SILAN(士兰微) 直插MOS(场效应三极管) SVF4N65F 封装:TO-220F(TO-220IS) PN:SVF4N65F
  • 商品编号:OK000000169141
  • 品牌:UTC(友顺)
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  • 型号:SVF4N65F
  • 封装/规格:TO-220F(TO-220IS)
  • 封装类型:直插
  • 产品类型:直插 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:SILAN(士兰微)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:SVF4N65F
  • 描述:漏源电压(VDSS) 650V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 2.7Ω 流明 2A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 30W(TC) 类型 N沟道 N沟道 650V 4A 2.7Ω流明10V
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