SINO-IC(光宇睿芯) 直插MOS(场效应三极管) SED10080GG 封装:DFN5*6 PN:SED10080GG

商品编号：OK000000169301

型号：SED10080GG

封装/规格：DFN5*6

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：SINO-IC(光宇睿芯)

三极管类型：NPN

型号PN：SED10080GG

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 80A 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 8MΩ 流明 13A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 170W 类型 N沟道 N沟道 100V 80A