ON(安森美) 贴片MOS(场效应三极管) NTD6416ANLT4G 封装:TO-252-2(DPAK) PN:NTD6416ANLT4G
请用微信扫描
商品编号:OK000000169606
型号:NTD6416ANLT4G
封装/规格:TO-252-2(DPAK)
封装类型:贴片
产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:ON(安森美)
三极管类型:NPN
型号PN:NTD6416ANLT4G
描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 19A(TC) 栅源极阈值电压 2.2V 流明 250UA 漏源导通电阻 74MΩ 流明 19A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 71W(TC) 类型 N沟道 N沟道 100V 19A 74MΩ流明10V
扫一扫,手机访问微商城
好评度
你好!请登录|注册
好评度