ST(意法半导体) 直插 STF23NM60 封装:TO-220 PN:STF23NM60

商品编号:OK000000201585

型号:STF23NM60

封装/规格:TO-220

封装类型:直插

产品类型:直插

品牌/产地:ST(意法半导体)

三极管类型:NPN

型号PN:STF23NM60

描述:场效应管 MOSFET N沟道 600V 19A TO-220FP 晶体管极性: N沟道 电流 ID 连续: 9.5A 漏源电压 VDS: 600V 在电阻RDS(上): 150MOHM 电压 流明 RDS测量: 10V 阈值电压 VGS TH 典型值: 3V 功耗 PD: 150W 工作温度最小值: -55°C 工作温度最高值: 150°C 封装类型: TO-220FP 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): NO SVHC (19-DEC-2012) 封装/箱盒: TO-220FP 工作温度范围: -55°C 至 +150°C 晶体管类型: 功率MOSFET 漏极电流 ID 最大值: 19A 电压 VGS 流明 RDS ON 测量: 10V 电压 VDS 典型值: 600V 电压 VGS 最高: 25V 表面安装器件: 通孔

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  • 商品名称: ST(意法半导体) 直插 STF23NM60 封装:TO-220 PN:STF23NM60
  • 商品编号:OK000000201585
  • 品牌:ST(意法半导体)
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  • 型号:STF23NM60
  • 封装/规格:TO-220
  • 封装类型:直插
  • 产品类型:直插
  • 品牌/产地:ST(意法半导体)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:STF23NM60
  • 描述:场效应管 MOSFET N沟道 600V 19A TO-220FP 晶体管极性: N沟道 电流 ID 连续: 9.5A 漏源电压 VDS: 600V 在电阻RDS(上): 150MOHM 电压 流明 RDS测量: 10V 阈值电压 VGS TH 典型值: 3V 功耗 PD: 150W 工作温度最小值: -55°C 工作温度最高值: 150°C 封装类型: TO-220FP 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): NO SVHC (19-DEC-2012) 封装/箱盒: TO-220FP 工作温度范围: -55°C 至 +150°C 晶体管类型: 功率MOSFET 漏极电流 ID 最大值: 19A 电压 VGS 流明 RDS ON 测量: 10V 电压 VDS 典型值: 600V 电压 VGS 最高: 25V 表面安装器件: 通孔
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