SINO-IC(光宇睿芯) 直插MOS(场效应三极管) SE3080G 封装:DFN 5x6 PN:SE3080G
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商品编号:OK000000163217
型号:SE3080G
封装/规格:DFN 5x6
封装类型:直插
产品类型:直插 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:SINO-IC(光宇睿芯)
三极管类型:NPN
型号PN:SE3080G
描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 80A 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 6.5MΩ 流明 25A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 83W 类型 N沟道
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