WINSOK 微硕 直插MOS(场效应三极管) WSD2012DN25 封装:DFN 2x5 PN:WSD2012DN25

商品编号：OK000000163918

型号：WSD2012DN25

封装/规格：DFN 2x5

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：WINSOK 微硕

三极管类型：NPN

型号PN：WSD2012DN25

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 11A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 9.5MΩ 流明 5.5A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.7W 类型 双N沟道 双N沟道.20V.11A.9.5MΩ.