Infineon(英飞凌) MOS(场效应三极管) IPB180P04P4L02ATMA1 封装:TO-263-6 PN:IPB180P04P4L02ATMA1
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商品编号:OK000000165395
型号:IPB180P04P4L02ATMA1
封装/规格:TO-263-6
产品类型: MOS(场效应三极管)
品牌/产地:Infineon(英飞凌)
三极管类型:NPN
型号PN:IPB180P04P4L02ATMA1
描述:漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 180A(TC) 栅源极阈值电压 2.2V 流明 410UA 漏源导通电阻 2.4MΩ 流明 100A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 150W(TC) 类型 P沟道 N沟道 40V 180A 2.4MΩ流明10V
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