Infineon(英飞凌) MOS(场效应三极管) IPB072N15N3G 封装:PG-TO263-3 PN:IPB072N15N3G
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商品编号:OK000000165403
型号:IPB072N15N3G
封装/规格:PG-TO263-3
产品类型: MOS(场效应三极管)
品牌/产地:Infineon(英飞凌)
三极管类型:NPN
型号PN:IPB072N15N3G
描述:漏源电压(VDSS) 150V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 100A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 270UA 漏源导通电阻 7.2MΩ 流明 100A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 300W(TC) 类型 N沟道
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