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CJ(长晶科技) MOS(场效应三极管) CJAC10TH10 封装:PQFNWB5x6-8L PN:CJAC10TH10

商品编号：OK000000165756

型号：CJAC10TH10

封装/规格：PQFNWB5x6-8L

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：CJ(长晶科技)

三极管类型：NPN

型号PN：CJAC10TH10

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 100A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 8MΩ 流明 12A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 100W 类型 N沟道

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商品名称： CJ(长晶科技) MOS(场效应三极管) CJAC10TH10 封装:PQFNWB5x6-8L PN:CJAC10TH10
商品编号：OK000000165756
品牌：VISHAY(威世)
库存： 899999
型号：CJAC10TH10
封装/规格：PQFNWB5x6-8L
封装类型：
产品类型： MOS(场效应三极管)
品牌/产地：CJ(长晶科技)
三极管类型：NPN
型号PN：CJAC10TH10
描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 100A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 8MΩ 流明 12A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 100W 类型 N沟道

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