HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY3210B 封装:TO-263-2L PN:HY3210B

商品编号：OK000000165763

型号：HY3210B

封装/规格：TO-263-2L

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：HUAYI(华羿微)

三极管类型：NPN

型号PN：HY3210B

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 120A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 8.5MΩ 流明 60A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 237W 类型 N沟道