HUAYI(华羿微) MOS(场效应三极管) HY4903B6 封装:TO-263-6 PN:HY4903B6

商品编号：OK000000165833

型号：HY4903B6

封装/规格：TO-263-6

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：HUAYI(华羿微)

三极管类型：NPN

型号PN：HY4903B6

描述：漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 314A 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 1.7MΩ 流明 150A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 268W 类型 N沟道 30V/314A 1.3MΩ(TYP.)流明V GS = 10V