TOSHIBA(东芝) MOS(场效应三极管) 2SK3476(TE12L,Q 封装:2-5N1A PN:2SK3476(TE12L,Q
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商品编号:OK000000165994
型号:2SK3476(TE12L,Q
封装/规格:2-5N1A
产品类型: MOS(场效应三极管)
品牌/产地:TOSHIBA(东芝)
三极管类型:NPN
型号PN:2SK3476(TE12L,Q
描述:漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 3A 栅源极阈值电压 漏源导通电阻 最大功率耗散(TA=25°C) 20W 类型 N沟道 RF用途 N沟道 20V 3A
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