SINO-IC(光宇睿芯) 贴片MOS(场效应三极管) SE1991G 封装:TO-263-2 PN:SE1991G

商品编号：OK000000166168

型号：SE1991G

封装/规格：TO-263-2

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：SINO-IC(光宇睿芯)

三极管类型：NPN

型号PN：SE1991G

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 120A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 5MΩ 流明 50A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 223W 类型 N沟道