Infineon(英飞凌) 贴片MOS(场效应三极管) IPD60R1K4C6 封装:TO-252 PN:IPD60R1K4C6
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商品编号:OK000000166214
型号:IPD60R1K4C6
封装/规格:TO-252
封装类型:贴片
产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:Infineon(英飞凌)
三极管类型:NPN
型号PN:IPD60R1K4C6
描述:漏源电压(VDSS) 600V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 3.2A(TC) 栅源极阈值电压 3.5V 流明 90UA 漏源导通电阻 1.4Ω 流明 1.1A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 28.4W(TC) 类型 N沟道
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