DIODES(美台) 贴片MOS(场效应三极管) DMN32D2LFB4-7 封装:X2-DFN1006-3 PN:DMN32D2LFB4-7

商品编号：OK000000166407

型号：DMN32D2LFB4-7

封装/规格：X2-DFN1006-3

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：DIODES(美台)

三极管类型：NPN

型号PN：DMN32D2LFB4-7

描述：漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 300MA 栅源极阈值电压 1.2V 流明 250UA 漏源导通电阻 1.2Ω 流明 100MA 4V 最大功率耗散(TA=25°C) 350MW 类型 N沟道 N沟道 30V 300MA 1.2Ω流明4V