VBsemi(台湾微碧) 直插MOS(场效应三极管) VBE1102N 封装:TO252 PN:VBE1102N

商品编号：OK000000166419

型号：VBE1102N

封装/规格：TO252

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：NPN

型号PN：VBE1102N

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 60A(TC) 栅源极阈值电压 5V 流明 250UA 漏源导通电阻 18.5MΩ 流明 15A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3W 类型 N沟道