CYSTECH(全宇昕) 贴片MOS(场效应三极管) MTC6601N6 封装:SOT-26 PN:MTC6601N6
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商品编号:OK000000166618
型号:MTC6601N6
封装/规格:SOT-26
封装类型:贴片
产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:CYSTECH(全宇昕)
三极管类型:PNP
型号PN:MTC6601N6
描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 3.7A 2.7A 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 1.2V 流明 250UA 漏源导通电阻 55MΩ 流明 3.4A 10V;110MΩ 流明 2.3A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.14W 类型 N沟道和P沟道 30V -30V/3.7A -2.7A/ N+P
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