VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI1012R-T1-GE3 封装:SC-75(SOT-523) PN:SI1012R-T1-GE3

商品编号：OK000000166626

型号：SI1012R-T1-GE3

封装/规格：SC-75(SOT-523)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI1012R-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 500MA 栅源极阈值电压 900MV 流明 250UA 漏源导通电阻 700MΩ 流明 600MA 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 150MW 类型 N沟道 N沟道 20V 0.6A 700MΩ流明4.5V