VBsemi(台湾微碧) MOS(场效应三极管) VBM1208N 封装:TO-220AB PN:VBM1208N
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商品编号:OK000000166959
型号:VBM1208N
封装/规格:TO-220AB
产品类型: MOS(场效应三极管)
品牌/产地:VBsemi(台湾微碧)
三极管类型:NPN
型号PN:VBM1208N
描述:漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 40A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 60MΩ 流明 40A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 300W 类型 N沟道
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