VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI4776DY-T1-GE3 封装:SOIC-8_150mil PN:SI4776DY-T1-GE3

商品编号：OK000000167459

型号：SI4776DY-T1-GE3

封装/规格：SOIC-8_150mil

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI4776DY-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 11.9A(TC) 栅源极阈值电压 2.3V 流明 1MA 漏源导通电阻 16MΩ 流明 10A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 4.1W(TC) 类型 N沟道 N沟道 30V 11.9A 0.016Ω流明10V带肖特基二极管