VISHAY(威世) MOS(场效应三极管) SIHB16N50C-E3 封装:D2PAK(TO-263) PN:SIHB16N50C-E3

商品编号：OK000000168281

型号：SIHB16N50C-E3

封装/规格：D2PAK(TO-263)

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SIHB16N50C-E3

描述：漏源电压(VDSS) 500V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 16A(TC) 栅源极阈值电压 5V 流明 250UA 漏源导通电阻 380MΩ 流明 8A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 250W(TC) 类型 N沟道