VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SI4477DY-T1-GE3 封装:SOIC-8_150mil PN:SI4477DY-T1-GE3

商品编号：OK000000168604

型号：SI4477DY-T1-GE3

封装/规格：SOIC-8_150mil

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：PNP

型号PN：SI4477DY-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 26.6A 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 6.2MΩ 流明 18A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 3W 类型 P沟道 SINGLEP-CHANNEL20V0.0062O190NCSURFACEMOUNTMOSFET-SOIC-8