VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SI4866BDY-T1-E3 封装:SOIC-8_150mil PN:SI4866BDY-T1-E3

商品编号：OK000000168618

型号：SI4866BDY-T1-E3

封装/规格：SOIC-8_150mil

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI4866BDY-T1-E3

描述：漏源电压(VDSS) 12V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 21.5A(TC) 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 5.3MΩ 流明 12A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 4.45W(TC) 类型 N沟道