VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SQJ858AEP-T1_GE3 封装:PowerPAK SO-8 PN:SQJ858AEP-T1_GE3

商品编号:OK000000168628

型号:SQJ858AEP-T1_GE3

封装/规格:PowerPAK SO-8

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地:VISHAY(威世)

三极管类型:NPN

型号PN:SQJ858AEP-T1_GE3

描述:漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 58A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 6.3MΩ 流明 14A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 48W 类型 N沟道

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  • 商品名称: VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SQJ858AEP-T1_GE3 封装:PowerPAK SO-8 PN:SQJ858AEP-T1_GE3
  • 商品编号:OK000000168628
  • 品牌:VISHAY(威世)
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  • 型号:SQJ858AEP-T1_GE3
  • 封装/规格:PowerPAK SO-8
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1
  • 品牌/产地:VISHAY(威世)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:SQJ858AEP-T1_GE3
  • 描述:漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 58A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 6.3MΩ 流明 14A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 48W 类型 N沟道
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