DIODES(美台) MOS(场效应三极管)1 DMT6008LFG-7 封装:POWERDI3333-8 PN:DMT6008LFG-7
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商品编号:OK000000168763
型号:DMT6008LFG-7
封装/规格:POWERDI3333-8
产品类型: MOS(场效应三极管)1
品牌/产地:DIODES(美台)
三极管类型:NPN
型号PN:DMT6008LFG-7
描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 13A 栅源极阈值电压 2V 流明 250UA 漏源导通电阻 7.5MΩ 流明 20A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 2.2W 类型 N沟道
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