VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI1902CDL-T1-GE3 封装:SC-70-6 PN:SI1902CDL-T1-GE3

商品编号：OK000000169064

型号：SI1902CDL-T1-GE3

封装/规格：SC-70-6

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI1902CDL-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 1.1A 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 235MΩ 流明 1A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 420MW 类型 双N沟道