DIODES(美台) 贴片MOS(场效应三极管) DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A 场效应管 封装:TSOT-26 PN:DMG6601LVT-7
商品编号:OK000000169088
型号:DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A 场效应管
封装/规格:TSOT-26
封装类型:贴片
产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:DIODES(美台)
三极管类型:PNP
型号PN:DMG6601LVT-7
描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 3.8A 2.5A 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 55MΩ 流明 3.4A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 850MW 类型 N沟道和P沟道
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