无锡新洁能 贴片MOS(场效应三极管) NCE75H21D 封装:TO-263-2 PN:NCE75H21D

商品编号：OK000000169455

型号：NCE75H21D

封装/规格：TO-263-2

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：无锡新洁能

三极管类型：NPN

型号PN：NCE75H21D

描述：漏源电压(VDSS) 75V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 210A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 4MΩ 流明 40A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 330W(TC) 类型 N沟道NMOS75V/210ARDS(ON)=3MR；标称48V电池无刷控制器专用(电镐专用性价比高)。